首页 创作导图 资源库 我的资源 关于我们

纳米智能器件导论

2025-03-14 21:03  4

0
0
免费使用
画布
|
大纲
为你推荐
# 纳米智能器件导论 ## 1. 课程概述 ### 1.1 课程目标 #### 掌握新型存储器分类与工作原理 ##### 新型存储器的种类 ##### 各类存储器的工作机制 #### 理解性能优化方法和应用 ##### 性能优化策略 ##### 应用案例分析 #### 了解当前研究现状 ##### 最新研究成果 ##### 未来发展方向 ### 1.2 参考书目 #### 参考文献列表 ### 1.3 课程考核 #### 平时成绩（30%） ##### 考勤 ##### 作业 ##### 课堂学习情况 #### 期中考核（20%） ##### 闭卷考试 #### 期末考核（50%） ##### 闭卷考试 ## 2. 绪论 ### 2.1 基本电路元件 #### 理想基本电路元件 ##### 电阻 ##### 电容 ##### 电感 ##### 电压源和电流源 #### 忆阻器 ##### 定义 ##### 特性 ##### 优势 ### 2.2 忆阻器的重要概念 #### 原始定义 ##### 提出背景 ##### 数学表达 #### 广义忆阻器理论 ##### 不同材料中的应用 ##### 物理机制 #### 忆阻系统 ##### 系统结构 ##### 工作原理 ## 3. 忆阻器材料及物理机制 ### 3.1 材料种类 #### 二元氧化物 #### 复杂钙钛矿氧化物 #### 固态电解质材料 #### 非晶碳材料 #### 有机高分子材料 ### 3.2 物理机制 #### 氧空位迁移 #### 界面势垒调制 #### 金属导电通道形成 #### 注入载流子的捕获和释放 #### 金属-绝缘体转变机制 ## 4. 忆阻器工艺与集成 ### 4.1 器件结构 #### 上电极/电介质/下电极结构 #### 三端或四端器件扩展 #### Crossbar结构 ### 4.2 电阻转变特性 #### 阻变随机存取存储器（RRAM） ##### 高阻态（HRS）和低阻态（LRS） ##### Set和Reset过程 ##### 单极性和双极性转变 ##### 数字式和模拟式忆阻器 ### 4.3 惠普TiO2忆阻器的发现 #### 发展历程 #### HP忆阻器模型 #### 边界迁移模型 ## 5. 忆阻器在类脑神经形态计算中的应用 ### 5.1 冯·诺依曼瓶颈 #### 计算与存储分离 #### 数据传输速率限制 ### 5.2 类脑神经形态计算 #### 生物神经突触的可塑性 #### 人工神经突触器件 #### 类脑芯片设计 ### 5.3 非易失性逻辑运算 #### 状态逻辑计算 #### 逻辑运算的实现 ## 6. 纳米传感器 ### 6.1 传感器种类 #### 纳米材料传感器 #### 生物传感器 ### 6.2 应用领域 #### 医疗健康 #### 环境监测 ## 7. 新型有机半导体器件 ### 7.1 结构特点 #### 分子结构 #### 电子特性 ### 7.2 应用前景 #### 显示技术 #### 光电器件
纳米智能器件 忆阻器技术 类脑计算
作者其他创作

    AI脑图#674246

    去主页